JIS H0604-1995
用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命

Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method

JIS H0604-1995 发布历史

この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする。

JIS H0604-1995由日本工业标准调查会 JP-JISC 发布于 1995-07-01。

JIS H0604-1995 在中国标准分类中归属于: H81 半金属，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料,77.120.99 其他有色金属及其合金。

JIS H0604-1995的历代版本如下：

• 1995年07月01日 JIS H0604-1995 用光电导衰减法测量硅单晶中少数载流子的寿命

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标准号

JIS H0604-1995

发布日期

1995年07月01日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

H81

国际标准分类号

29.045;77.120.99

发布单位

JP-JISC

适用范围

この規格は，シリコン単結晶中の少数キャリアのパルク再粘合ライフタイム（以下，パルクライフタイム又はτBという。）を直流回路を用いた光導電減衰法によって測定する方法について規定する。なお，測定する単結晶は均一な組成をもち，抵抗率がlΩ·cm以上のものとする。

JIS H0604-1995 中可能用到的仪器设备