GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
GB/T 17170-1997 发布历史
本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。
GB/T 17170-1997由国家质检总局 CN-GB 发布于 1997-12-22，并于 1998-08-01 实施。
GB/T 17170-1997 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 17170-1997的历代版本如下：
- 1997年12月22日 GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
- 2015年12月10日 GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法
GB/T 17170-1997 非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法 于 2015-12-10 变更为 GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法。
- 标准号
- GB/T 17170-1997
- 发布日期
- 1997年12月22日
- 实施日期
- 1998年08月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 17170-2015
- 适用范围
- 本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于107Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。