C-V法利用PN结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性，可以获得材料中杂质浓度及其分布的 信息，这类测量称为C-V测量技术。这种测量可以提供材料截面均匀性及纵向杂质浓度分 布的信息，因此比四探针、三探针等具有更大的优点。虽然扩展电阻也能测量纵向分布 ，但它需将样品进行磨角。但是C-V法既可以测量同型低阻衬底上外延材料的分布，也可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 ...
因此，n++硅衬底通常是半导体，应是作为一个有损耗的电介质而不是一个金属电极，这应该有一个低得多的电阻率。至此，文献中测量的电容(Cm)应是BN薄膜的电容(Cf)和Si衬底的电容(Cs)的串联组合。因此，由于Si衬底的贡献，BN薄膜的测量电容低于实际电容，Cf与Cm的差异随着薄膜厚度的减小而增大。即，文献中报道的BN薄膜在10 kHz-4 MHz的κ值被低估了，特别是考虑到薄膜是超薄的。...
（C）沉积在微波辅助还原氧化石墨烯、还原氧化石墨烯以及玻璃化碳衬底上的Ni-Fe层状氢氧化物的塔菲尔曲线，结果发现由于微波辅助法制备的还原氧化石墨烯阵列具有较高的导电率，沉积在微波辅助还原氧化石墨烯上的Ni-Fe层状氢氧化物具有最低的电荷转移电阻率。（D）在15h，10mA／cm2的电流密度条件下，沉积在微波辅助还原氧化石墨烯以及玻璃化碳衬底上的Ni-Fe层状氢氧化物恒电流法测试结果。...
形貌数据清晰地表明样品表面的45μm×45μm扫描范围内由高度不同的区域组成，可以划分为3个区域。可以观察到，最低高度的区域具有相对光滑的表面，这表明该区域是玻璃衬底。另一方面，具有相对粗糙表面的两个区域，是CNTs和Ag材料。为了验证这一点，使用XEI软件计算每个区域的表面粗糙度。测量的玻璃基板的表面粗糙度约为1.48 nm，而其他两个区域具有大约14.25和14.71 nm 。...
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