1.应用范围: ①各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率 IGBT、MOSFET、LED 等器件; ②各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ; ③各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等 。 ...
四、功率半导体器件分类功率半导体按照不同的分类标准可以进行如下分类:1.按照控制特性分类不控型器件:即正向导通反向阻断,如常见的功率二极管;半控型器件:除了正负极,还有控制极,一旦开通无法通过控制极(栅极)关断,这类主要是指晶闸管(Thyristor)和它的派生器件;全控型器件:可通过栅极控制开关,常见的有双极结型晶体管(BJT)、栅极关断晶闸管(GTO)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET...
采用非破坏性的测量方法,可以测量几乎所有的半导体器件的热学性能,包括:1、分离或集成的双极型晶体管、常见的三极管、二极管和半导体闸流管、以及大功率IGBT、MOSFET等器件;2、大功率LED:MicReD专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件的光热一体化测量;T3ster还可以测量整个LED灯具的热阻;3、任何复杂的IC器件(利用其内置的基板二极管);4、具有单独加热器和温度传感器的热测试芯片...
SOI和体硅FinFET的比较 本文比较了SOI和体硅FinFET器件在性能、加工工艺及其成本上的差异。如果要使SOI和体硅的FinFET器件具有相类似的性能,体硅FinFET器件的制备流程将更为复杂。在SOI晶圆上,氧化埋层隔离了分立的晶体管,而在体硅器件中,隔离作用则必须通过晶圆工艺来形成。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号