JIS H 0609:1999
用优选浸蚀技术检测硅中晶体缺陷的试验方法

Test methods of crystalline defects in silicon by preferential etch techniques

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标准号

JIS H 0609:1999

发布

1999年

发布单位

日本工业标准调查会

当前最新

JIS H 0609:1999

 

 

被代替标准

JIS H 0609:1994

适用范围

この規格は,シリコンウエーハの結品欠陥を六価クロムを含まない選択エッチング液によって検出し側定する方法について規定する。対象は，単結晶ウェーハ，ェピタキシャルウェーハ及びこれらの熱酸化ウエーハで，これらの結晶面方位は，{100}面，{lll}面及び{5ll}面の3種類とする。

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