JEDEC JESD35-1-1995
JESD35的补遗1－薄电介质的Wafer-Level测试的设计测试结构的一般指南

General Guidelines for Designing Test Structures for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics Addendum No. 1 to JESD35

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标准号

JEDEC JESD35-1-1995

发布

1995年

发布单位

(美国)固态技术协会,隶属EIA

 

 

适用范围

JESD35 描述了用于表征 MOS 微电子中薄电介质完整性的电压和电流斜坡测试。通常从测试结果中提取两个参数，即击穿电场和击穿电荷密度，并将其用作介电质量的衡量标准。这些参数的有效性和准确性取决于薄氧化物测试结构的布局、测试设备的精度和环境条件。因此，了解上述因素可能引入的各种误差源非常重要。

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