JEDEC JESD35-A-2001
薄电介质的Wafer-Level测试程序

Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectrics

标准号

JEDEC JESD35-A-2001

发布

2001年

发布单位

(美国)固态技术协会,隶属EIA

 

 

适用范围

MOS 器件和电路的薄电介质完整性是一个重要的可靠性问题。从历史上看，薄氧化物的可靠性是由氧化物缺陷驱动的。一般来说，本征氧化物寿命比使用要求长得多，但缺陷会显着缩短氧化物寿命。开发本文描述的过程是为了估计薄氧化物的完整性，并作为推动薄氧化物工艺不断改进的工具。

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