DIN EN 62374-2008
半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

Semiconductor devices - Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) test for gate dielectric films (IEC 62374:2007); German version EN 62374:2007

DIN EN 62374-2008 发布历史

DIN EN 62374-2008由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 2008-02，并于 2008-02-01 实施。

DIN EN 62374-2008 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。

DIN EN 62374-2008的历代版本如下：

• 2011年06月 DIN EN 62374-1-2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验(IEC 62374-1-2010).德文版本EN 62374-1-2010 + AC-2011
• 2008年02月 DIN EN 62374-2008 半导体器件.与时间有关的栅极介电薄膜的介质击穿(TDDB)试验

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标准号

DIN EN 62374-2008

发布日期

2008年02月

实施日期

2008年02月01日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.01

发布单位

DE-DIN