IPC TM-650 2.2.13.1-1983
镀在孔微欧姆法中的厚度 修订版A 1983年1月

Thickness, Plating in Holes Micro-Ohms Method; Revision A - January 1983

IPC TM-650 2.2.13.1-1983 发布历史

Analyze solder, determine source of contamination, correct solder composition, eliminate contamination by solder replacement or dilution and eliminate source of contamination where possible.

IPC TM-650 2.2.13.1-1983由美国电子电路和电子互连行业协会 US-IPC 发布于 1983-01-01。

IPC TM-650 2.2.13.1-1983 在中国标准分类中归属于: J00 标准化、质量管理。

IPC TM-650 2.2.13.1-1983的历代版本如下：

• 1983年01月01日 IPC TM-650 2.2.13.1-1983 镀在孔微欧姆法中的厚度 修订版A 1983年1月

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标准号

IPC TM-650 2.2.13.1-1983

发布日期

1983年01月01日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

J00

发布单位

US-IPC

适用范围

Analyze solder, determine source of contamination, correct solder composition, eliminate contamination by solder replacement or dilution and eliminate source of contamination where possible.