DLA MIL-PRF-19500/739-2006
场效应抗辐射半导体装置(总剂量和单粒子效应),N型通道和P型通道硅四晶体管,类型2N7518和2N7518U,JANTXVR,F和JANSR,F
SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED (TOTAL DOSE AND SINGLE EVENT EFFECTS) QUAD TRANSISTOR, N-CHANNEL AND P-CHANNEL, SILICON, TYPES 2N7518 AND 2N7518U, JANTXVR, F, AND JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/739-2006 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- DLA MIL-PRF-19500/739-2006
- 发布
- 2006年
- 发布单位
- 美国国防后勤局
DLA MIL-PRF-19500/739-2006相似标准
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半导体专业术语含义
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