DLA SMD-5962-79012 REV A-1986
硅单片静态移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS, STATIC SHIFT REGISTER, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
DLA SMD-5962-79012 REV A-1986
发布
1986年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图描述了单片硅、8 级并行输入/串行输出静态移位寄存器微电路的要求。该图为根据 MIL-M-38510 获取微电路提供了一定程度的微电路完整性和可靠性保证。

DLA SMD-5962-79012 REV A-1986相似标准

DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 硅单片1至64比特移位寄存器,氧化物半导体数字微型电路 DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 硅单片装有三态输出的8阶移位寄存器/锁存器氧化物半导体数字微型电路 DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路 DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重64阶段静态移位寄存器,硅单片电路数字微电路 DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 硅单片,双重4级移位寄存器,改进型高速氧化物半导体数字微型电路

推荐

【防务资讯】“DARPA2016年展示日”10大前沿主题——频谱篇

DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺，实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的紧密结合。DAHI的最终目标是建立一个可制造、可获得代工技术，可将多种器件和复杂硅架构通过单片异质集成的方式集成到共同的衬底平台上。这样的集成将为美军提供拥有更高性能的微系统。DARPA在异质集成方面的努力始于“硅基化合物半导体材料”（COSMOS）项目。...

传感器的常见类型有哪些

硅： 　　元素硅在自然界中不存在，但存在于氧化物和硅酸盐等化合物中。硅是丰富的，相对便宜的，并且具有许多可用于传感器应用的物理特性。可以在硅衬底上沉积具有所需特性的材料层。单晶硅是使用最guang泛的半导体材料。 　　多晶硅： 　　可以通过用氧化物真空沉积到氧化的硅晶片上来形成多晶层。多晶硅结构可以通过离子注入或其他技术掺杂硼或其他元素，以达到所需的导电性。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号