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此外,半加器还具有两个附加的功能:多值和灵活,因而单电子半加器单元将为超高密度和低能耗的超大规模集成提供基础,这也是未来小型移动IT系统所面临的最关键问题之一。 制造一个传统的CMOS(互补金属氧化物半导体)半加器,至少需要20个场效应晶体管;而单电子半加器采用了新的单电子晶体管结构,内含两个对称的侧栅极,因此科学家仅用3个单电子晶体管和2个场效应晶体管就制造出了一个半加器。...
在数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源极和漏极)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...
在数字电子学中,计算被分成一系列基本(逻辑)操作,这些操作由称为逻辑电路的部件执行。目前电子工业中这些电路的设计是基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的,需要PMOS和NMOS晶体管。当一个负(或正)电压被施加到一个称为栅极的电极上时,PMOS(或NMOS)晶体管就被接通。该电极控制两个电极(源极和漏极)之间通道的导电性(在本例中通道由碳纳米管组成)。...
氧化物半导体具有工艺温度低、透明度好、薄膜可大面积生长、电子迁移率高、能带隙宽等优点,这些优点使其适用于内存驱动电路以及基于高性能薄膜晶体管的逻辑电路。随着人们对实现具有新功能和超强计算能力的新型计算架构越来越感兴趣,开发高性能氧化物半导体晶体管以实现兼容CMOS 后端工艺的单片三维集成电路已迫在眉睫。 ...
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