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一是延续摩尔(More Moore)定律,采用新器件、新工艺、新材料等实现技术节点的持续微缩,这是先进逻辑技术和先进存储技术的主要发展路径;二是扩展摩尔(More than Moore)定律,引入嵌入式工艺或三维集成等多重技术创新应用,在产品功能多元化(功耗、带宽等)的需求下,将硅基互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)和非...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
修改molecular beam epitaxy (MBE) 分子束外延molecular flow 分子流monitor wafer(test wafer) 陪片,测试片,样片monocrystal 单晶monolithic device 单片器件Moore''s law 摩尔定律MOS 金属氧化物半导体MOSFET 金属氧化物半导体场效应管motor curreant endpoint...
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