DAHI计划实现集成的微系统的设备和材料包括:(1)基于硅CMOS的模拟和数字电路高度集成;(2)基于氮化镓(GaN)的高功率、高电压和低噪声放大器(3)基于砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)异质结双极晶体管(HBT)和高电子迁移率晶体管(HEMT)的高速/高动态范围、低噪声电路(4)基于锑基化合物半导体的高速、低功耗电子器件(5)用于直接带隙光子源和探测器的化合物半导体光电器件,以及硅基架构的调制器和波导等...
一、EDS所用信号:高速运动的电子束轰击样品表面,电子与元素的原子核及外层电子发生单次或多次弹性与非弹性碰撞,有一些电子被反射出样品的表面,其余的渗入样品中,逐渐失去其动能,最后被阻止,并被样品吸收。在此过程中有99%以上的入射电子能量转变成热能,只有约1%的入射电子能量从样品中激发出各种信号。...
利用加在晶体两端的偏压收集电子—空穴对.经前置放大器转换成电流脉冲,电流脉冲的高度取决于N的大小。电流脉冲经主放大器转换成电压脉冲进入多道脉冲高度分析器。脉冲高度分析器技高度把脉冲分类并进行计数,这样就可以描出一张特征x射线技能量大小分布的图谱。2、多道脉冲分析器多道分析器有一个由许多存储单 元(称为通道)组成的存储器。...
利用加在晶体两端的偏压收集电子—空穴对.经前置放大器转换成电流脉冲,电流脉冲的高度取决于N的大小。电流脉冲经主放大器转换成电压脉冲进入多道脉冲高度分析器。脉冲高度分析器技高度把脉冲分类并进行计数,这样就可以描出一张特征x射线技能量大小分布的图谱。2、多道脉冲分析器多道分析器有一个由许多存储单 元(称为通道)组成的存储器。...
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