DLA SMD-5962-96683-1996
抗辐射互补金属氧化物半导体4BIT位运算硅单片电路数字微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 4 BIT ARITHMETIC LOGIC UNIT, MONOLITHIC SILICON


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 DLA SMD-5962-96683-1996 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
DLA SMD-5962-96683-1996
发布
1996年
发布单位
美国国防后勤局
 
 
适用范围
该图构成单部件-单部件编号文档系统的一部分（参见本文 6.6）。两个产品保证类别包括军事高可靠性（设备类别 Q 和 M）和航天应用（设备类别 V），以及外壳轮廓和引线表面的选择，并反映在零件或识别号 (PIN) 中。 M 类设备微电路代表符合 MIL-STD-883 1.2.1 的非 JAN B 类微电路，“MIL-STD-883 与兼容的非 JAN 设备结合使用的规定”。如果可用，辐射硬度保证 (RHA) 级别的选择会反映在 PIN 中。

DLA SMD-5962-96683-1996相似标准

DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,类似体4BIT数量比较器,硅单片电路数字微电路 DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体与非硅单片电路数字微电路 DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路 DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体与门硅单片电路数字微电路 DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体发生器硅单片电路数字微电路

推荐

Nature重磅：硅材料的三个重大发现

二、 基于硅光子学平台的三维影像传感器数字图像传感器主要是利用材料的光电转换性能，将感光面上的光信号转变为与光信号成相应比例关系的电信号，并进一步以数字量或数字编码的形式输出。其中，数字互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器使二维成像技术得到进一步的发展。作为一种典型的固体成像传感器，利用透镜将光线聚焦在探测器上形成图像，主要包括敏感单元阵列、行列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据端口。...

传感器的常见类型有哪些

它们不与氧气反应，因此不会产生氧化物。许多制造商将陶瓷用作传感器基板。 　　四、传感器制造 　　微传感器技术使用了常规硅平面IC技术中遵循的基本制造步骤以及一些其他步骤。目前，互补金属氧化物半导体（CMOS）是微传感器中最chang用的技术。微传感器是使用商业CMOS IC工艺和随后的批量微加工技术设计和制造的，确切具体的步骤因传感器而异。 　　...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号