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构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
在3nm制程以后,两家半导体制造巨头台积电和三星的技术路径便 “分道扬镳”,台积电依然坚持FinFET 技术,而三星选择更新的GAA技术(Gate-all-around),所谓GAA,是指全环栅晶体管,是一种继续延续现有半导体技术路线寿命的较主流方案,可进一步增强栅极控制电流能力,使得底部与硅体完全隔离,因而泄漏电流即便在晶体管关闭时也不会流动,能克服当前技术的物理缩放比例和性能限制。...
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