DLA SMD-5962-95719 REV C-2004
高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, HIGH SPEED CMOS, HEX INVERTING SCHMITT TRIGGER, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON

DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 发布历史

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M), space application (device class V). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN). When available, a choice of Radiation Hardness Assurance (RHA) levels are reflected in the PIN.

DLA SMD-5962-95719 REV C-2004由美国国防后勤局 US-DLA 发布于 2004-02-02。

DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 在中国标准分类中归属于: V11 航空与航天用金属铸锻材料，在国际标准分类中归属于: 49.025 航空航天制造用材料。

DLA SMD-5962-95719 REV C-2004的历代版本如下：

• 2004年02月02日 DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 高速抗辐射互补金属氧化物半导体六角反相施密特触发电路 硅单片电路线型微电路

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标准号

DLA SMD-5962-95719 REV C-2004

发布日期

2004年02月02日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

V11

国际标准分类号

49.025

发布单位

US-DLA

适用范围

This drawing documents two product assurance class levels consisting of high reliability (device classes Q and M), space application (device class V). A choice of case outlines and lead finishes are available and are reflected in the Part or Identifying Number (PIN). When available, a choice of Radiation Hardness Assurance (RHA) levels are reflected in the PIN.