BS EN 60749-18:2003
半导体器件.机械和气候试验方法.电离辐射(总剂量)
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Ionizing radiation (total dose)
- 标准号
- BS EN 60749-18:2003
- 发布
- 2003年
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS EN 60749-18:2003
- 被代替标准
- 00/203285 DC-2000 BS EN 60749:1999
- 适用范围
- IEC 60749 的这一部分提供了一个测试程序，用于定义测试封装半导体集成电路和分立半导体器件的钴 60 (Co) 伽马射线源电离辐射（总剂量）效应的要求。 该标准提供了加速退火测试，用于估计低剂量率电离辐射对设备的影响。 这种退火测试对于低剂量率或设备可能表现出显着的时间依赖性效应的某些其他应用非常重要。 本标准仅涉及稳态辐照，不适用于脉冲型辐照。 它适用于军事和太空相关应用。 该标准可能会导致辐照设备的电气性能严重退化，因此应被视为破坏性测试。
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