ANSI N42.31-2003
离子辐射的宽能带隙半导体探测器的分辨和功效的测量规程

Measurement Procedures for Resolution and Efficiency of Wide-Bandgap Semiconductor Detectors of Ionizing Radiation


标准号
ANSI N42.31-2003
发布
2003年
发布单位
美国国家标准学会
当前最新
ANSI N42.31-2003
 
 
适用范围
建立了碲化镉(CdTe)、碲化镉锌(CdZnTe)、碘化汞(HgI2)等宽禁带半导体探测器的测量和测试程序,可在室温下进行检测和定量

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