IS 3700 Pt.10-1982
半导体器件的基本额定值和特性第 X 部分场效应晶体管

Basic Ratings and Characteristics of Semiconductor Devices Part X Field Effect Transistors

半导体器件的基本额定值和特性第 X 部分场效应晶体管 不是强制性中国国家标准，您可以免费下载预览页

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试：免费下载 IS 3700 Pt.10-1982 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

标准号: IS 3700 Pt.10-1982
发布: 1983年
发布单位: IN-BIS
当前最新: IS 3700 Pt.10-1982

适用范围: 该标准（第 X 部分）涵盖了为场效应晶体管提供的基本额定值、特性和其他信息。涵盖以下场效应晶体管： A 型结栅型 B 型绝缘栅耗尽型 C 型绝缘栅增强型

IS 3700 Pt.10-1982相似标准

GB/T 4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 GB/T 6219-1998 半导体器件分立器件第8部分;场效应晶体管第一篇 1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 GJB 33B-2021 半导体分立器件通用规范 GB/T 2900.32-1994 电工术语电力半导体器件 GB/T 12560-1999 半导体器件分立器件分规范

推荐

【材料】印刷有机单晶阵列电路

胡文平是国际上从事有机场效应晶体管研究具有重要影响的科学家之一。他从1996年开始从事有机薄膜场效应晶体管的研究，是我国最早从事有机场效应晶体管研究的科学家之一。他在高迁移率有机半导体材料、有机半导体晶体材料和有机场效应器件物理方面开展了卓有成效的研究。...

半导体功率器件可靠性水基清洗分析

导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—“开关”等。...

Mater.综述: 理解、优化和利用基于有机或有机杂化半导体的非理想晶体管

背景介绍有机电子材料有很多具有吸引力的独特性质，包括多样性的分子结构来实现可变电性能、可调的光吸收波长或发射强度，兼容多样化沉积技术和后沉积处理、低温和低成本加工条件以及可控的机械性能等等。作为基本电子器件，有机场效应晶体管（OFET）或薄膜晶体管（OTFT）可以调节电导并提供调控范围广的输出电流。在材料的基础研究方面，OFET调控载流子浓度和电导以揭示有机半导体的电荷注入和传输性质。...

少层PdS2的制备与物理特性

论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.1c11824作为第10组TMDs的一员，PdS2具有明显的层数依赖性带状结构，在室温下具有极高的载流子迁移率。并且首次利用角分辨偏振拉曼光谱研究了PdS2的光学各向异性。在12K ~ 300 K的温度范围内，研究了拉曼光谱的演变。为了进一步了解少层PdS2的电子特性，制备并研究了场效应晶体管(FET)器件。...

IS 3700 Pt.10-1982半导体器件的基本额定值和特性第 X 部分场效应晶体管