找不到引用JUS N.R1.353-1979 半导体装置的字母符号.双极场效应和场效应晶体管 的标准
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二、 功率场效应晶体管的基本参数及符号 1.极限参数和符号 (1) 漏源极间短路时,栅漏极间的耐压VGDS (2) 漏源极间开路时,栅漏极间的耐压VGSO (3) 栅源极在规定的偏压下,漏源极间耐压VDSX (4) 击穿电压BVDS (5) 栅极电流IG (6) 最大漏电极耗散功率PD (7) 沟道温度TGH,存储温度TSTG 2.电气特性参数和符号 (1) 栅极漏电电流IGSS...
它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度(例如pH值)改变,通过晶体管的电流将相应的改变。 ...
7.场效应晶体管 在半导体表面的垂直方向上加一电场时,则电子和空穴在表面电场的作用下发生运动,半导体表面发生载流子的重新分布,因而半导体表面的导电能力受电场的作用而改变,即改变外加电压的大小和方向,可以控制半导体表面层中多少载流子的浓度和类型,或控制PN结空间电荷区的宽度,这种现象称半导体的场效应。 场效应晶体管的工作是以半导体表面的场效应为基础的。 ...
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