ASTM F448-99(2005)
测量稳态原始光电流的标准试验方法

Test Method for Measuring Steady-State Primary Photocurrent

被代替

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标准号

ASTM F448-99(2005)

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F448-11

当前最新

ASTM F448-18

 

 

适用范围

简单 pn 结二极管的稳态光电流是一个可直接测量的量，可以与大范围电离辐射下的器件响应直接相关。对于更复杂的器件，结光电流可能与器件响应不直接相关。齐纳二极管8212；在该器件中，光电流对齐纳电压的影响而不是光电流本身通常是最重要的。该器件在齐纳区域偏置时最适合进行测试。在测试齐纳二极管或精密稳压器时，必须采取额外的预防措施，以确保在照射期间器件中产生的光电流不会导致测试期间器件两端的电压发生变化。双极晶体管8212；由于器件几何形状规定来自基极-集电极结的光电流远大于来自基极-发射极结的电流，因此通常仅在发射极开路的集电极-基极结上进行测量；然而，有时，为了获得计算机辅助电路分析的数据，还需要测量发射极-基极结光电流。结型场效应器件8212；正确的光电流测量要求在测量栅极沟道光电流期间源极与漏极短路（直流）。在四极连接的器件中，应分别监测两个栅极沟道结。绝缘栅场效应器件8212；在这种类型的器件中，真正的光电流位于衬底与沟道、源极和漏极区域之间。可以通过此处使用的技术来测量可以产生打开器件的电压的电流，但它是由于栅极绝缘体中的感应电导率引起的，因此不是结光电流。
1.1 该测试方法涵盖了稳态光电流的测量。说明半导体器件暴露于电离辐射时产生的初级光电流 Ipp。这些程序旨在测量大于 10-9 As/Gy（Si 或 Ge）的光电流，此时被测器件的弛豫时间小于电离源脉冲宽度的 25%。这些程序对于高达 108Gy（Si 或 Ge）/s 的电离剂量率的有效性已经得到证实。该程序可用于高达 1010Gy（Si 或 Ge）/s 的剂量率测量；然而，必须格外小心。高于 108Gy/s 时，封装响应可能会主导互补金属氧化物半导体 (CMOS)/蓝宝石硅 (SOS) 等技术的器件响应。测量 10-9 As/Gy（Si 或 Ge）或更低的光电流时，还需要采取额外的预防措施。
1.2 本测试方法还包括设置、校准和测试电路评估程序。
1.3 由于设备类型之间和不同应用的要求存在差异，本测试方法中没有给出任何具体测试的剂量率范围，但必须单独规定。
1.4 以国际单位制（SI）规定的数值为标准。本标准不包含其他计量单位。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。