ASTM F418-77(2002)
测量霍尔效应用恒定成分范围的外延磷化砷化镓试样的制备
Standard Practice for Preparation of Samples of the Constant Composition Region of Epitaxial Gallium Arsenide Phosphide for Hall Effect Measurements
2008-07
- 标准号
- ASTM F418-77(2002)
- 发布
- 1977年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F418-77(2002)
- 引用标准
- ASTM D1125 ASTM F358 ASTM F76
- 适用范围
- 已知发光二极管的效率随起始材料的载流子密度而变化。该过程提供了一种制备样本的技术，其中可以在器件制造的典型区域中测量霍尔载流子密度。该量与载流子密度相关，可以直接用作质量控制参数。迁移率是半导体许多参数的函数，包括电离杂质密度、补偿和晶格缺陷，其中一些或全部可能与器件质量所反映的材料质量有关。使用该程序使得可以测量恒定成分区域的迁移率。由于在 GaAs (1−x)Px 中，x 接近 0.38（最常用于发光二极管），直接（000 或 Γ）最小值和间接（100 或 X）最小值在彼此的能量只有几毫电子伏，两者都充满了载流电子。两个波段的迁移率显着不同，两者的相对分布取决于精确的成分（x 值）、掺杂水平和温度。因此，必须谨慎解释霍尔系数和霍尔迁移率 (2,3)。特别是，霍尔载流子密度的测量与通过电容电压技术对同一样本进行的载流子密度测量不一致。然而，如果测量购买或生长样本的载流子密度的目的是找到最适合二极管制造的载流子密度，则霍尔测量可能很有价值，因为可以导出效率与霍尔载流子密度的曲线，以用于器件工艺1.1 本实践涵盖了从衬底和分级区域释放外延生长的砷化镓磷化物 GaAs(1x)Px 的恒定成分区域的程序。它的生长是为了测量恒定成分区域的电特性，该区域通常厚 30 至 100 m。它还规定了与样品进行电接触时应遵循的两个替代程序。
1.2 本实践旨在与测试方法 F 76.1.3 结合使用。本推荐实践中规定的具体参数适用于 GaAs0。 62P0。 38，但随着蚀刻时间的变化，它们可以应用于具有其他成分的材料。1.4本实践不涉及对按本文所述制备的样本进行霍尔测量，除了指出存在和可能的情况由于自由载流子在两个导带最小值之间的分布而产生的影响。
1.5 这种做法也可以在制备用于光吸收测量或质量或发射光谱分析的恒定成分区域的样品时遵循。
1.6 这种做法变得越来越多随着样本变薄，应用变得困难。
1.7 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。有关危险说明，请参阅第 9 节和 11.9.2.4。