ASTM F76-86(1996)e1
测量单晶半导体的电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率的试验方法

Standard Test Methods for Measuring Resistivity and Hall Coefficient and Determining Hall Mobility in Single-Crystal Semiconductors

被代替

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标准号

ASTM F76-86(1996)e1

发布

1986年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F76-86(2002)

当前最新

ASTM F76-08(2016)e1

 

 

适用范围

1.1 这些测试方法涵盖了测量单晶半导体样品电阻率和霍尔系数的两个程序。这些测试方法的最大区别在于其测试样本的要求。
1.1.1 测试方法 A，van der Pauw (1) - 该测试方法需要单个连接的测试样本（没有任何孤立的孔），厚度均匀，但形状任意。触点必须足够小并且位于样本的外围。该测量最容易解释为各向同性半导体，其传导由单一类型的载流子主导。
1.1.2 测试方法B，平行六面体或桥8212；类型该测试方法需要厚度均匀且具有指定形状的样本。平行六面体和桥几何形状都指定了接触要求。这些测试样本的几何形状对于各向异性半导体来说是理想的，因为测量的参数取决于电流的方向。当传导由单一类型的载体主导时，该测试方法也最容易解释。
1.2 这些测试方法不提供成型、清洁或接触样品的程序；然而，给出了验证接触质量的程序。注 18212；实践 F 418 涵盖砷化镓磷化物样品的制备。
1.3 实践 F 418 中的方法没有提供对基本半导体特性（例如，多数和少数载流子迁移率和密度）结果的解释。附录中提供了一些适用于某些半导体和温度范围的一般指南。然而，在大多数情况下，解释权留给用户。
1.4 这些测试方法（第 19 节）的实验室间测试仅在有限的电阻率范围内进行，并且针对半导体、锗、硅和砷化镓。然而，只要已知合适的样品制备和接触程序，该方法也适用于其他半导体。该方法适用的电阻率范围受到测试样本几何形状和仪器灵敏度的限制。
1.5 以可接受的公制单位表示的值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。 （另见 3.1.4。） 1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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