产品功能:1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准2·电阻测量范围宽:100nΩ(低电阻选件)~ 100GΩ(高阻系统);3·使用插入式样品卡,样品安装方便,同时提供四探针卡,免去制作电极的麻烦4·标准系统一次可以同时测量2个样品,增加选件可同时测量4个样品;5·测量和计算过程由软件自动执行,3分钟即可得到一个霍尔效应数据;6·提供长时间高稳定性的磁场,24小时稳定性...
虽然c-BAs已被制备,但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷,对其迁移率的测量带来困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,而电极的大小制约其空间分辨能力,并直接影响测试结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。 ...
2K温度下使用PPMS 0-9T扫场的砷化镓二维电子气薄膜,采用范德堡测量法横向及纵向电输运测量结果准确反应了材料的整数量子霍尔效应传统的直流场霍尔效应测量对于具有较高迁移率的简单材料来说相对简单可靠。但伴随着载流子迁移率的降低,测量难度增加,精度降低。在光伏、热电和有机物等前景广阔的新型半导体材料中,测量难度就增加了不少。...
利用彻底改造后的四探针系统,他们对转移到SiO2/Si衬底上的单晶石墨烯进行输运测试,首次报道了利用van der Pauw方法来获得石墨烯单晶载流子迁移率【Chin. Phys. B, 26 (6) 066801, 2017】。最近,该研究组博士生马瑞松、副研究员鲍丽宏等利用上述四探针STM对石墨烯晶界电阻率与迁移率等输运特性展开了系统深入的研究。 ...
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