ASTM F1893-98(2003)
测量半导体器件电离剂量率熔蚀的指南

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适用范围: 本指南讨论了使用 FXR 辐射源来确定半导体器件中的高剂量率烧毁。本指南的目标是提供一种系统的方法来测试倦怠。本指南定义并讨论了可能出现的不同类型的故障模式。具体来说，故障可以通过设备参数的变化或设备的灾难性故障来定义。该指南可用于确定设备的生存能力，即设备能否生存到预定水平；或者该指南可用于确定设备的生存剂量率能力。然而，由于后一种测试具有破坏性，因此必须通过统计确定故障的最小剂量率水平。
1.1 本指南定义了测试微电路短脉冲高剂量率电离引起的故障的详细要求。由于高剂量率水平会导致烧毁，因此需要在光子模式下运行的大型闪光 X 射线 (FXR) 机器或 FXR 电子束设施。可以进行两种测试模式：(1) 生存测试，以及 (2) 故障级别测试。
1.2 国际单位制（SI）中规定的值被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。

ASTM F1893-98(2003)测量半导体器件电离剂量率熔蚀的指南