ASTM F1619-95(2000)e1
用红外线吸收光谱法和布鲁斯特角部偏振辐射入射测量间充氧含量的标准试验方法
Standard Test Method for Measurement of Interstitial Oxygen Content of Silicon Wafers by Infrared Absorption Spectroscopy with p-Polarized Radiation Incident at the Brewster Angle
2003-08
- 标准号
- ASTM F1619-95(2000)e1
- 发布
- 1995年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1619-95(2000)e1
- 引用标准
- ASTM F1188 ASTM F1241
- 适用范围
- 该标准于 20031 年 5 月转移至 SEMI (www.semi.org)。1 该测试方法涵盖通过傅里叶变换红外 (FT-IR) 光谱测定商用单晶硅片间隙氧含量的吸收系数。在此测试方法中，入射辐射是 p 偏振的，并以布鲁斯特角入射到测试样本上，以最大限度地减少多次反射。注释 18212；在此测试方法中，电矢量平行于入射平面的辐射被定义为 p 偏振辐射。注释 28212；委员会 F01 已被告知该测试方法的某些方面可能受专利保护由东芝陶瓷株式会社申请。委员会对此类专利的适用性或有效性不采取任何立场，但它要求该测试方法的用户和其他相关方提供与该测试方法相关的非专利替代品的任何可用信息。
1.2 自间隙氧浓度与 1107 cm1 吸收带的吸收系数成正比，可以使用独立确定的校准因子直接得出晶片的间隙氧含量。
1.3 测试样品是指定类型的单面抛光硅片在 SEMI 规范 M1 中。晶片的正面进行镜面抛光，背面可以进行切割、研磨或蚀刻（见8.1.1.1）。
1.4 本测试方法适用于室温下电阻率大于5 937;cm的硅晶片.1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。