SJ/T 11552-2015
以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量

Test methods for measurement of interstitial oxygen content of silicon wafers by infrared absorption with P-polarized radiation incident at the Brewster angle

SJT11552-2015, SJ11552-2015

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标准号

SJ/T 11552-2015

别名

SJT11552-2015, SJ11552-2015

发布

2015年

发布单位

行业标准-电子

当前最新

SJ/T 11552-2015

 

 

适用范围

本标准规定了以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅中间隙氧含量的方法。 本标准适用于测试室温下电阻率大于5 Ω·cm的硅单晶中间隙氧含量，特别适用于薄硅片样品中氧含量的测量。氧含量的有效范围从1×10¹⁶ at·cm^-3至硅单晶中间隙氧的最大固溶度。

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