ASTM E1250-88(2005)
硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法

Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic Devices

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标准号

ASTM E1250-88(2005)

发布

1988年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM E1250-10

当前最新

ASTM E1250-15(2020)

 

 

适用范围

尽管 Co-60 核仅发射 1.17 和 1.33 MeV 的单能伽马射线，但源的有限厚度以及不可避免地存在于辐照器中的封装材料和其他周围结构可以贡献大量的低能伽马辐射，主要由康普顿散射 (1, 2).3 在电子设备的辐射硬度测试中，伽马能谱的这种低能光子分量可能会给被测设备带来显着的剂量测定误差，因为剂量计测量的平衡吸收剂量可能会有很大差异由于吸收剂量增强效应，来自被测设备中沉积的吸收剂量 (3, 4)。吸收剂量增强效应是指异种材料边界附近的非平衡电子传输引起的与平衡吸收剂量的偏差。该方法中描述的电离室技术提供了一种简单的方法来估计任何给定辐照器类型和配置的低能光子分量的重要性。当特定辐照器配置中存在明显的低能光谱成分时，应使用特殊的实验技术来确保剂量测定充分代表被测设备中的吸收剂量。 （参见实践 E 1249。） 1.1 Co-60 辐照器光子能谱中的低能成分会导致硅电子器件辐射硬度测试中吸收剂量增强效应。这些低能量成分可能会导致确定特定被测设备吸收剂量时出现错误。该方法涵盖使用专门的电离室来确定此类效应的相对重要性的品质因数的程序。它还给出了组装该室的设计和说明。
1.2 该方法适用于 Co-60 辐射场中的测量，其中暴露速率范围为 7 10 6 至 3 102 C kg 1 s1（大约 100 R/h 至 100 R/h） R/s）。有关将此方法应用于曝光率 >100 R/s 的辐射场的指导，请参阅。注1 暴露及其单位的定义参见术语E 170。
1.3 以SI 单位表示的值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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