ASTM F1190-99(2005)
未加偏压的电子元件的中子照射标准指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

标准号

ASTM F1190-99(2005)

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1190-11

当前最新

ASTM F1190-18

 

 

半导体器件会被反应堆能谱中子永久损坏。这种损坏对电子元件性能的影响可以通过测量元件暴露于感兴趣的中子注量范围内的快中子之前和之后的电气特性来确定。所得数据可用于设计能够耐受该组件所表现出的退化的电子电路。本指南提供了一种方法，通过该方法可以以可重复的方式将硅和砷化镓半导体器件暴露于中子辐照，并且该方法将允许对在不同设施处获取的数据进行比较。对于硅和砷化镓以外...