ASTM F1190-99(2005)
未加偏压的电子元件的中子照射标准指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

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标准号

ASTM F1190-99(2005)

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1190-11

当前最新

ASTM F1190-18

 

 

适用范围

半导体器件会被反应堆能谱中子永久损坏。这种损坏对电子元件性能的影响可以通过测量元件暴露于感兴趣的中子注量范围内的快中子之前和之后的电气特性来确定。所得数据可用于设计能够耐受该组件所表现出的退化的电子电路。本指南提供了一种方法，通过该方法可以以可重复的方式将硅和砷化镓半导体器件暴露于中子辐照，并且该方法将允许对在不同设施处获取的数据进行比较。对于硅和砷化镓以外的半导体，本指南提供了一种方法，可以提高测量的一致性，并确保当适用的经过验证的 1-MeV 损伤函数编入国家标准时，可以在相同的等效注量尺度上比较来自不同设施的数据。标准。在缺乏经过验证的 1-MeV 损伤函数的情况下，非电离能量损失 (NIEL) 作为入射中子能量的函数，标准化为 1 MeV 的 NIEL，可用作近似值。有关方法的说明，请参阅实践 E 722。
1.1 本指南严格仅适用于无偏硅 (SI) 或砷化镓 (GaAs) 半导体元件（集成电路、晶体管和二极管）暴露于核反应堆中子辐射的情况源来确定组件的永久性损坏。国家标准中规定的经过验证的 1-MeV 损伤函数目前不适用于其他半导体材料。
1.2 本指南中指出的偏差的元素也可能适用于由其他材料组成的半导体的暴露，但规定的经过验证的 1-MeV 损伤函数除外目前尚无国家标准。
1.3 本指南仅涉及暴露条件。应使用适当的电气测试方法来确定辐射对测试样品的影响。
1.4 本指南解决与反应堆能谱中子辐照有关的问题和担忧。
1.5 本指南不包括系统和子系统暴露和测试方法。
1.6 本指南指南适用于以脉冲或稳态模式运行的反应堆进行的辐照。位移损伤半导体测试中中子注量的关注范围约为 109 至 1016 n/cm 2.1.7 本指南不涉及中子引起的单个或多个中子事件效应或瞬态退火。
1.8 本指南提供了测试的替代方案方法 1017.3，中子位移测试，MIL-STD-883 和 MIL-STD-750 的组成部分。国防部已将这些 MIL-STD 的使用限制在 1995 年及之前的项目中。该标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。