ASTM E1250-88(2000)
硅电子器件辐射强度试验用钴60辐射源的低能γ成分评估的电离箱的应用的标准试验方法

Standard Test Method for Application of Ionization Chambers to Assess the Low Energy Gamma Component of Cobalt-60 Irradiators Used in Radiation-Hardness Testing of Silicon Electronic Devices

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标准号

ASTM E1250-88(2000)

发布

1988年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM E1250-88(2005)

当前最新

ASTM E1250-15(2020)

 

 

适用范围

1.1 Co-60辐照器光子能谱中的低能成分导致硅电子器件辐射硬度测试中吸收剂量增强效应。这些低能量成分可能会导致确定特定被测设备吸收剂量时出现错误。该方法涵盖使用专门的电离室来确定此类效应的相对重要性的品质因数的程序。它还提供了组装该室的设计和说明。
1.2 本方法适用于Co-60辐射场中的测量，其暴露速率范围为7 X 10 -6 至3 X 10 -2 C kg -1 s -1 (约100 R/h至100 R/s) 。有关将该方法应用于曝光率 >100 R/s 的辐射场的指导，请参阅附录 X1。注 1 - 有关暴露及其单位的定义，请参阅术语 E170。
1.3 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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