2.7 电容器的特性: 电容器容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。。...
放电管电极间的电容,一般在2~10pF之间,是所有瞬变干扰吸收器件中最小的。金属氧化物压敏电阻压敏电阻一般都是以氧化锌为主要成分,另加少量的其它金属氧化物(颗粒),如:鈷、猛、铋等压制而成。由于两种不同性质的物体组合在一起,相当于一个PN结(二极管),因此,压敏电阻相当于众多的PN结串、并联组成。...
二、【成果掠影】具有原子尺度厚度的二维(2D)层状半导体被探索为支持进一步小型化和集成电子的潜在通道材料。然而,到目前为止,还没有基于半导体的2D fet表现出可以超越最先进的硅场效应晶体管(FETs)的性能。国际器件与系统路线图(IRDS)预测,对于硅基金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FETs),栅极长度的缩放将停止在12纳米,最终电源电压将不会下降到小于0.6 V。...
目前常用的碳化硅功率半导体器件主要包括:碳化sbd(schottkybarrierdiode,肖特基二极管)与碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,金属氧化物半导体场效应管),其中碳化硅mosfet器件属于单级器件,开通关断速度较快,对栅极可靠性提出了更高的要求,而由于碳化硅材料的物理特性,导致栅级结构中的栅氧层缺陷数量较多...
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