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基于溅射技术所制备的SnO2薄膜不仅具有较高的光透过率、高平整度和良好的厚度均匀性，而且其电学性质可通过改变溅射时的气体氛围进行调控以满足应用要求。研究发现，在氩气等离子体溅射氛围下所制备的SnO2在价带顶附近容易形成带间态从而降低其空穴阻隔性能；而在高氧气浓度的溅射氛围下所制备的SnO2带间态密度降低，有利于SnO2电子传输层和钙钛矿层界面上的电子提取与空穴阻隔。...
实验结果表明，通过磁控溅射制备的钙钛矿薄膜PSCs的功率转换效率 (PCE) 为6.14%。经过优化，获得了具有优异电子性能的高性能钙钛矿薄膜，并实现了具有优异重复性的稳定PSC，其PCE高达15.22%。这种全新的合成方法开辟了一种新的和有前途的方法，在平面异质结和串联PSC的商业应用中的大面积生产中实现高通量磁控溅射。...
特点：对于任何待镀材料，只要能做成靶材，就可实现溅射（适合制备难蒸发材料，不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料）；溅射所获得的薄膜和基片结合较好；消耗贵金属少，每次仅约几毫克；溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。...
特点：对于任何待镀材料，只要能做成靶材，就可实现溅射（适合制备难蒸发材料，不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料）；溅射所获得的薄膜和基片结合较好；消耗贵金属少，每次仅约几毫克；溅射工艺可重复性好，膜厚可控制，同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。溅射方法：直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。...
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