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标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
)的顶栅碳纳米管场效应晶体管,在相同尺寸下,其性能已经超越硅基互补金属-氧化物半导体(CMOS)FETs。...
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。...
而基于半导体单壁碳纳米管(s-SWCNT)的 场效应晶体管(FETs)工艺正逐步接近次10纳米技术节点,由于其具有纳米维度尺寸、高迁移率和高稳定性等优点,从理论上讲,碳纳米管比硅材料以及其他传统半导体材料(Ge 和InGaAs等)具有更好的尺寸性质,在CMOS-FETs应用方面具有更好的开态性能,是有望替代硅材料的“候选者”。...
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