EL的正向或反向的发动电压小于10V。此外,铒掺杂CeO2MOS器件可以避免EL荧光淬火。分析器件的电流-电压特性得出,在EL激发电压下,不论正向还是反向偏压,电子传输都是由陷阱辅助隧穿机制来控制。换而言之,即在n +-Si/ITO 中的电子,能够经由足够高的正向/反向偏压下的缺陷态,隧穿进入CeO2的导带。然后,一小部分电子由电场加速变成热电子,可以激发Er3+离子,从而导致特征发射。...
3.晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种专用示波器,它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性;二极管的正向、反向特性;稳压管的稳压或齐纳特性;它可以测量晶体{HotTag}管的击穿电压、饱和电流、自或a参数等。 ...
4、晶体管特性图示仪 晶体管特性图示仪是一种专用示波器,它能直接观察各种晶体管特性曲线及曲性簇。例如:晶体管共射、共基和共集三种接法的输入、输出特性及反馈特性;二极管的正向、反向特性;稳压管的稳压或齐纳特性;它可以测量晶体管的击穿电压、饱和电流、β或α参数等。 ...
放大区:发射结正偏,集电结反偏:2. 饱和区:发射结正偏,集电结正偏;3. 截止区:发射结反偏,集电结反偏。 ...
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