PN T01505-03-1987
场效应晶体管漏电流测量方法 在某一指定的栅源电压 Idsx 和漏电流下.栅源短路

Field-effect transistors Measuring method Drain current, at a specified gate-source voltage Idsx and drain current, with gate short-circuited to source. Idss


 

 

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标准号
PN T01505-03-1987
发布
1987年
发布单位
PL-PKN
当前最新
PN T01505-03-1987
 
 
适用范围
Przedmiotem normy jest metoda pomiaru pr?du drenu Idsx przy okre?lonym napi?ciu bramka-?ród?o Ugs i pr?du drenu Idss przy UGs = 0 dla tranzystorów polowych typu A, B i C.

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