STAS 12124/3-1983
半导体设备.场效应晶体管,测量电气的静态参数的方法

Semiconductor devices FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Methods for measuring electrical static parameters


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 STAS 12124/3-1983 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
STAS 12124/3-1983
发布
1983年
发布单位
RO-ASRO
 
 
适用范围
1 本标准规定了场效应晶体管静态电参数的测量方法,缩写为:晶体管。 2 本标准适用吗?再次场效应晶体管,通过m

STAS 12124/3-1983相似标准


推荐

碳化硅功率器件测试

各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件静态参数,系统提供与机械手、探针台、电脑连接口,可以支持各种不同辅助设备相互连接使用。...

德国VXInstruments多功能测试产品及案例研究

PXI产品系列         任意波形发生器、数字化示波器电源测量单元(SMU)半导体测试系统外设模块 USB3 高功率产品系列 电源测量单元(SMU)HC/HVPulse Sources高速数字万用表 VXInstruments半导体测试解决方案MOSFET器件静态参数测试和动态特性测试静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关相关参数,主要包括:门极开启  电压、门极击穿电压,集电极发射极间耐压...

扩大功率半导体产能,全球再添一座12英寸晶圆厂

当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力总和,相当于200毫米)。  功率器件是管理和降低各种电子设备功耗以及实现碳中和社会重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件需求非常旺盛。  ...

用于超分子纳米线光电器件纳米筛支架

【图文简介】图1:可调不对称连接纳米筛支架设计方案图片简析:(a)通过纳米球刻蚀、反应离子刻蚀制备六角孔阵列制造工序。生成纳米结构几何参数可以通过调整PS纳米微球直径、O2等离子体蚀刻剂量和晶片介质层厚度进行调节。(b)底部硅接触P3HT等高分子半导体进行区域选择性改性。地面符号表明硅电极是保持在0 V,输出电压为金电极输出电压测量值(c)硅片上大面积单层PS纳米球照片。...


STAS 12124/3-1983系列标准


STAS 12124/3-1983 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号