各种静态参数为使用者可靠选择器件提供了非常直观的参考依据、同时在功率器件检测维修中发挥了至关重要的作用。小编推荐一款SiC静态参数测试系统ENJ2005-C,该设备可测试各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的静态参数,系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口,可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。...
PXI产品系列 任意波形发生器、数字化示波器电源测量单元(SMU)半导体测试系统外设模块 USB3 高功率产品系列 电源测量单元(SMU)HC/HVPulse Sources高速数字万用表 VXInstruments半导体测试解决方案MOSFET器件静态参数测试和动态特性测试静态参数主要是指本身固有的,与其工作条件无关的相关参数,主要包括:门极开启 电压、门极击穿电压,集电极发射极间耐压...
当第一阶段达到满负荷时,旗下功率半导体产能将是2021财年的2.5倍( 200和300毫米晶圆制造能力的总和,相当于200毫米)。 功率器件是管理和降低各种电子设备的功耗以及实现碳中和社会的重要组件。当前汽车电气化和工业设备自动化的需求正在扩大,对低压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管) 等器件的需求非常旺盛。 ...
【图文简介】图1:可调不对称连接的纳米筛支架设计方案图片简析:(a)通过纳米球刻蚀、反应离子刻蚀制备六角孔阵列的制造工序。生成的纳米结构的几何参数可以通过调整PS纳米微球的直径、O2等离子体蚀刻剂量和晶片介质层的厚度进行调节。(b)底部硅接触P3HT等高分子半导体进行区域选择性改性。地面符号表明硅电极是保持在0 V,输出电压为金电极输出电压的测量值(c)硅片上的大面积单层PS纳米球照片。...
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