带硅通孔(TSVS)的 3D 芯片堆栈:识别、评估和理解可靠性相互作用, 您可以免费下载预览页
研究大尺寸硅基板制造技术,构建晶圆级翘曲模型及应力优化方法,探索高深宽比的TSV、高密度的深沟槽电容等制造工艺的应力效应机制,实现≥2400 mm2的大尺寸硅基板,并示范深沟槽、硅通孔等工艺流程后的12英寸晶圆翘曲值均不超过200μm。实现翘曲模型仿真工具并开源。 四、项目遴选的基本原则 (一)紧密围绕核心科学问题,注重需求及应用背景约束,鼓励原创性、基础性和交叉性的前沿探索。 ...
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