GB/T 24582-2009
酸浸取.电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

Test method for measuring surface metal contamination of polycrystalline silicon by acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry

GBT24582-2009, GB24582-2009

2024-03

标准号
GB/T 24582-2009
别名
GBT24582-2009, GB24582-2009
发布
2009年
发布单位
国家质检总局
替代标准
GB/T 24582-2023
当前最新
GB/T 24582-2023
 
 
引用标准
ASTM D5127 ISO 14644-1 SEMI C28 SEMI C30 SEMI C35
适用范围
本标准规定了用酸从多晶硅块表面浸取金属杂质,并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面上的金属杂质痕量分析方法。 本标准适用于碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、钾、钙、铁、镍、铜、锌以及其他元素如铝的检测。 本标准适用于各种棒、块、粒、片状多晶表面金属污染物的检测。由于块、片或粒形状不规则,面积很难准确测定,故根据样品重量计算结果,使用的样品重量为50 g~300 g,检测限为0.01 ng/mL。 酸的浓度、组成、温度和浸取时间决定着表面腐蚀深度和表面污染物的浸取效益。在这个实验方法中腐蚀掉的样品重量小于样品的重量的1%。 本标准适用于重量为25 g~5000 g的样品的测定,为了达到仲裁的目的,该实验方法规定样品的重量为约300 g。

GB/T 24582-2009相似标准


推荐

近千项国家标准征求意见即将截止,这43项与液质、气质、气相等仪器相关!

15纺织品 夜光余辉性能试验方法   亮度计法制订16化妆品中禁用物质喹诺酮类抗生素的现场快速检测   小型便携式质谱法制订17农药水分测定方法修订18醇醚基芳烃中含氧化合物的测定   气相色谱法制订19碳化硅外延片表面缺陷的测试   显微可见光法制订20多晶硅表面金属杂质含量测定   -电感耦合等离子体质谱法修订21纺织品 己二酯的测定   气相色谱-质谱法制订22纺织品 多环芳烃的测定修订...

ICP-MS分析技术在半导体高纯材料分析中的应用

正因为这些优点,使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中.主要进行的高纯材料分析1. IC硅片表面杂质分析2. 光伏多晶硅、单晶硅杂质分析3. 三氯氢硅、四氯化硅: ICP.MS法测定高纯四氯化硅中们、V、cr、‘ Co、Ni、Cu、Pb、Zn、Mn九种金属元素.4....

16想质谱相关标准已在路上

1首次半导体GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定 -电感耦合等离子体质谱法2024/3/1替代GB/T 24582-2009 化妆品GB/T 43197-2023化妆品中禁用组分酸性红73和溶剂红1的测定液相色谱-串联质谱法2024/4/1首次生物医学GB/T 42732-2023纳米技术 水相中无机纳米颗粒的尺寸分布和浓度测量单颗粒电感耦合等离子体质谱法2024/3/1首次纺织品...

质谱需求“大爆发”!这些质谱国家标准已经在路上......

/3/1首次制定机械GB/T 223.92-2023钢铁及合金 镧、铈、镨、钕、钐含量的测定 电感耦合等离子体质谱法2023/9/72024/4/1首次制定半导体GB/T 24582-2023多晶硅表面金属杂质含量测定 -电感耦合等离子体质谱法2023/8/62024/3/1替代GB/T 24582-2009 化妆品GB/T 43197-2023化妆品中禁用组分酸性红73和溶剂红1的测定 液相色谱...


GB/T 24582-2009 中可能用到的仪器设备


谁引用了GB/T 24582-2009 更多引用





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号