GB/T 11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片

Indium antimonide polycrystal,single crystals and as-cut slices

GBT11072-2009, GB11072-2009


标准号
GB/T 11072-2009
别名
GBT11072-2009, GB11072-2009
发布
2009年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 11072-2009
 
 
引用标准
GB/T 11297.1 GB/T 11297.10 GB/T 11297.11 GB/T 11297.12 GB/T 11297.2 GB/T 11297.3 GB/T 11297.4 GB/T 11297.5 GB/T 11297.6 GB/T 11297.7 GB/T 11297.8 GB/T 11297.9 GB/T 4326-2006 GB/T 8759-1988
被代替标准
GB/T 11072-1989
适用范围
本标准规定了锑化铟多晶、单晶及切割片的产品分类、技术要求、试验方法等。 适用于区熔法制备的锑化铟多晶及直拉法制备的供制作红外探测器和磁敏元件等用的锑化铟多晶、单晶及切割片。

GB/T 11072-2009相似标准


推荐

半导体材料的应用介绍

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷镓、磷化镓、磷化等分解压较大的单晶。...

半导体材料的制备方法

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广,80%的硅单晶、大部分锗单晶单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法,用此法拉制砷镓、磷化镓、磷化等分解压较大的单晶。...

关于对镓、锗相关物项实施出口管制的公告

7.硒镓(包括但不限于多晶单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2842909024、3818009006、3825690006)。  8.镓(包括但不限于多晶单晶、晶片、外延片、粉末、碎料等形态)(参考海关商品编号:2853909029、3818009007、3825690007)。  (二)锗相关物项。  ...

镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的前景

第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池,第三代太阳能电池就是铜镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池薄膜Si系太阳能电池。CIGS电池具有性能稳定、抗辐射能力强等优势,光电转换效率在各种薄膜太阳能电池中也名列前茅,已接近于晶体硅太阳能电池的转换效率,成本却是其1/3。...


GB/T 11072-2009 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号