本论文从俄歇电子能谱基础出发,基于俄歇电子物理机制,着重讨论价带俄歇谱的理论表述和物理意义。采用第一性原理计算方法,模拟GaN和ZnO基半导体不同物理条件下的理论价带俄歇谱;通过实验测量相关半导体的俄歇电子能谱,分别建立材料应力、电荷及电场分布、结构和导电类型等宏观参量的微纳尺度测量技术。...
60个中国标准创新贡献奖标准项目中,有多个与项目与仪器分析方法标准相关,如GB/T 26533—2011《俄歇电子能谱分析方法通则》等8项标准,涉及的标准有1. GB/T 26533—2011《俄歇电子能谱分析方法通则》;2. GB/T 29731—2013《表面化学分析 高分辨俄歇电子能谱仪 元素和化学态分析用能量标校准》;3....
表面分析方法表面分析方法有数十种,常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析,其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术,以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析,又称离子探针显微分析。...
表面分析方法有数十种,常用的有离子探针、俄歇电子能谱分析和X射线光电子能谱分析,其次还有离子中和谱、离子散射谱、低能电子衍射、电子能量损失谱、紫外线电子能谱等技术,以及场离子显微镜分析等。离子探针分析离子探针分析,又称离子探针显微分析。...
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