ASTM F996-10
利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

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标准号

ASTM F996-10

发布

2010年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F996-11

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

适用范围

栅极和场氧化物的电特性会因电离辐射而改变。实践 E666、E668、E1249 和指南 E1894 中讨论了确定源照射所传递剂量的方法。电离辐射的时间依赖性和剂量率效应可以通过比较辐照前和辐照后的电压变化、Vot 和 Vit 来确定。该测试方法提供了一种评估 MOSFET 和隔离寄生 MOSFET 电离辐射响应的方法。测得的电压偏移“Vot”和“Vit”可以测量电离辐射响应的处理变化的有效性。该技术可用于监测工艺技术的总剂量响应。
1.1 该测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场中栅极电介质的电离辐射退化。效应晶体管 (MOSFET) 和寄生 MOSFET 中的隔离电介质。 , , 亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 (VINV) 分离为氧化物捕获电荷 (Vot) 和界面陷阱 (Vit) 造成的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的漏源电流与栅极电压特性。
1.2 给出了测量 MOSFET 亚阈值电流-电压特性和计算结果的程序。
1.3 本测试方法的应用要求MOSFET具有衬底（体）接触。
1.4 辐照前和辐照后 MOSFET 亚阈值源极或漏极曲线必须遵循对栅极电压的指数依赖关系（至少 20 个电流）。
1.5 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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