ASTM F996-10
利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

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标准号

ASTM F996-10

发布

2010年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F996-11

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

栅极和场氧化物的电特性会因电离辐射而改变。实践 E666、E668、E1249 和指南 E1894 中讨论了确定源照射所传递剂量的方法。电离辐射的时间依赖性和剂量率效应可以通过比较辐照前和辐照后的电压变化、Vot 和 Vit 来确定。该测试方法提供了一种评估 MOSFET 和隔离寄生 MOSFET 电离辐射响应的方法。测得的电压偏移“Vot”和“Vit”可以...

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