JIS K0148-2005
表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

Surface chemical analysis -- Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

JIS K0148-2005 发布历史

この規格は，シリコン鏡面ウェーハ又はエピタキシャルウェーハの表面原子濃度を，全反射蛍光X線分折法(TXRF)によって定量する方法について規定する。 この方法は，次の元素分析に適用する。—原子番号が16(S)から92(U)までの元素 —表面原子濃度が1 × 10 atoms/cmから1 × 10 atoms/cmまでの汚染元素 —VPD試料前処理法を用いる場合は，表面原子濃度が5 × 10 atoms/cmから5 × 10 atoms/cmまでの汚染元素

JIS K0148-2005由日本工业标准调查会 JP-JISC 发布于 2005-03-20。

JIS K0148-2005 在中国标准分类中归属于: A43 化学，在国际标准分类中归属于: 71.040.40 化学分析。

JIS K0148-2005的历代版本如下：

• 2005年03月20日 JIS K0148-2005 表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

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标准号

JIS K0148-2005

发布日期

2005年03月20日

实施日期

废止日期

无

中国标准分类号

A43

国际标准分类号

71.040.40

发布单位

JP-JISC

适用范围

この規格は，シリコン鏡面ウェーハ又はエピタキシャルウェーハの表面原子濃度を，全反射蛍光X線分折法(TXRF)によって定量する方法について規定する。 この方法は，次の元素分析に適用する。—原子番号が16(S)から92(U)までの元素 —表面原子濃度が1 × 10<上10> atoms/cm<上2>から1 × 10<上14> atoms/cm<上2>までの汚染元素 —VPD試料前処理法を用いる場合は，表面原子濃度が5 × 10<上8> atoms/cm<上2>から5 × 10<上12> atoms/cm<上2>までの汚染元素

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