JIS K 0148:2005
表面化学分析.用总反射X-射线荧光(TXRF)测定法测定硅晶片的表面主要污染物

Surface chemical analysis -- Determination of surface elemental contamination on silicon wafers by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy

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标准号

JIS K 0148:2005

发布

2005年

发布单位

日本工业标准调查会

替代标准

JIS K 0148 ERRATUM 1:2005

当前最新

JIS K 0148 ERRATUM 1:2005

 

 

适用范围

この規格は，シリコン鏡面ウェーハ又はエピタキシャルウェーハの表面原子濃度を，全反射蛍光X線分折法(TXRF)によって定量する方法について規定する。 この方法は，次の元素分析に適用する。—原子番号が16(S)から92(U)までの元素 —表面原子濃度が1 × 10<上10> atoms/cm<上2>から1 × 10<上14> atoms/cm<上2>までの汚染元素 —VPD試料前処理法を用いる場合は，表面原子濃度が5 × 10<上8> atoms/cm<上2>から5 × 10<上12> atoms/cm<上2>までの汚染元素

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