ASTM F980-10
测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南

Standard Guide for Measurement of Rapid Annealing of Neutron-Induced Displacement Damage in Silicon Semiconductor Devices

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标准号

ASTM F980-10

发布

2010年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F980-10e1

当前最新

ASTM F980-16

 

 

适用范围

许多太空、军事和核电系统中使用的电子电路可能会暴露于不同水平和时间分布的中子辐射。对于此类电路的设计和制造来说，必须有可用的测试方法来确定其中使用的组件的易损性或硬度（非易损性的度量）。对于暴露后的短期（±100 秒）和长期（永久性损坏），通常需要测定硬度。请参阅实践 E722.1.1 本指南定义了测试硅分立半导体器件和集成电路的中子辐射引起的位移损坏的快速退火效应的要求和程序。该测试将导致受辐照设备的电气性能下降，应被视为破坏性测试。位移损伤的快速退火通常与双极技术相关。
1.1.1 重离子束也可用于表征位移损伤退火 (1)，但由于相关的电离剂量，离子束在解释所得器件行为时具有显着的复杂性。使用脉冲离子束作为位移损伤源不属于本标准的范围。
1.2 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前咨询并建立适当的安全和健康实践，并确定监管限制的适用性。

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