ISO 12406:2010
表面化学分析.二次离子质谱分析法.硅中砷的深度剖析法
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
- 标准号
- ISO 12406:2010
- 发布
- 2010年
- 发布单位
- 国际标准化组织
- 当前最新
- ISO 12406:2010
- 引用标准
- ISO 14237:2010 ISO 18114:2003 ISO 18115-1
- 适用范围
- 本国际标准规定了使用扇形磁质谱仪或四极杆质谱仪对硅中砷进行深度分析的二次离子质谱方法，并使用触针轮廓测量法或光学干涉测量法进行深度校准。 该方法适用于砷原子浓度在 1 × 1016 原子/cm3 至 2.5 × 1021 原子/cm3 之间的单晶、多晶或非晶硅样品，以及坑深度为 50 nm 或更深的样品。
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