GJB 7242-2011
单粒子效应试验方法和程序

Test methods and procedures for single-event effects


GJB 7242-2011 中，可能用到以下仪器设备

 

激光单粒子效应模拟测量系统

激光单粒子效应模拟测量系统

北京欧兰科技发展有限公司

 

GJB 7242-2011
标准号
GJB 7242-2011
发布
2011年
发布单位
国家军用标准-总装备部
当前最新
GJB 7242-2011
 
 
本标准规定了半导体器件单粒子效应的试验目的、要求和程序等。 本标准适用于重离子辐照引起的器件单粒子翻转、单粒子锁定试验。

GJB 7242-2011相似标准

T/CIE 119-2021 半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序 GB/T 41270.9-2022 航空电子过程管理 大气辐射影响 第9部分：航空电子设备单粒子效应故障率计算程序与方法 QJ 10005-2008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南 GB/T 41270.7-2022 航空电子过程管理 大气辐射影响 第7部分：航空电子产品设计中单粒子效应分析过程管理 GB/T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求

推荐

国家空间科学中心脉冲试验的单粒子效应设计和应用

科研人员测得了某航天型号用抗辐射薄弱器件的单粒子锁定特性及对载荷电路的影响，试验了不同阻值限流、调整工作电压、不同位置限流等多种抗锁定措施，最终形成了可靠的设计方案。实验中，脉冲激光装置成为了设计师测试器件和电路单粒子效应响应、调试电路应对单粒子效应的强有力工具。　　实践表明，脉冲激光单粒子效应实验装置及试验已能够有力促进国产宇航器件和航天型号器件应用的抗单粒子效应设计进步。　　　　...

GJB 7242-2011 中可能用到的仪器设备

半导体专用检测仪器设备

谁引用了GJB 7242-2011 更多引用

GJB 7400-2011 合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号