本次报告,陈宝钦研究员主要讲解了从1958年世界上出现第一块平面集成电路到20世纪80年代世界上集成电路制造进入自动化大生产,再到2012年英特尔首款22纳米工艺处理器诞生等微光刻与电子束光刻技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与电子束光刻技术在纳米级高分辨微图形转移等方面所面临的挑战以及需要对应解决的图形数据处理、图形曝光和图形刻蚀等关键技术问题。...
无论在新型显示器的组装还是集成电路或芯片制造工艺中,光刻胶的作用有两种,一是将掩膜板图形转移到基片上,二是保护底层材料不被后续工艺刻蚀。 “我们通常通过分辨率、对比度、敏感度、黏度和抗蚀性等几个方面评判光刻胶质量高低。”王元元告诉《中国科学报》。 以分辨率为例,光的波长对图形精细化转移至关重要,波长越短分辨率越高。...
随着集成电路特征尺寸的不断缩小和衬底尺寸的增大,缩小倍率的步进重复光刻机问世, 替代了图形比例为 1:1 的扫描光刻方式。当集成电路图形特征尺寸小于0.25μm 时,由于集成电路集成度的进一步提高,芯片面积更大,要求一次曝光的面积增大,促使更为先进的步进扫描光刻机问世。...
对掩模有如下要求:①掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;②掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;③掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件,再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头,在掩模材料上刻出所需的图形。...
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